Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI3460BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
номер части
SI3460BDV-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика
6-TSOP
Рассеиваемая мощность (макс.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
24nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
860pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 5657 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3 Электронные компоненты
SI3460BDV-T1-E3 Продажи
SI3460BDV-T1-E3 Поставщик
SI3460BDV-T1-E3 Распределитель
SI3460BDV-T1-E3 Таблица данных
SI3460BDV-T1-E3 Фото
SI3460BDV-T1-E3 Цена
SI3460BDV-T1-E3 Предложение
SI3460BDV-T1-E3 Низшая цена
SI3460BDV-T1-E3 Поиск
SI3460BDV-T1-E3 Покупка
SI3460BDV-T1-E3 Chip