Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4909DY-T1-GE3

SI4909DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 40V 8A 8SO
номер части
SI4909DY-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
3.2W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
63nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2000pF @ 20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31490 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4909DY-T1-GE3
SI4909DY-T1-GE3 Электронные компоненты
SI4909DY-T1-GE3 Продажи
SI4909DY-T1-GE3 Поставщик
SI4909DY-T1-GE3 Распределитель
SI4909DY-T1-GE3 Таблица данных
SI4909DY-T1-GE3 Фото
SI4909DY-T1-GE3 Цена
SI4909DY-T1-GE3 Предложение
SI4909DY-T1-GE3 Низшая цена
SI4909DY-T1-GE3 Поиск
SI4909DY-T1-GE3 Покупка
SI4909DY-T1-GE3 Chip