Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
номер части
SI4922BDY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
3.1W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
62nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2070pF @ 15V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 50452 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4922BDY-T1-E3
SI4922BDY-T1-E3 Электронные компоненты
SI4922BDY-T1-E3 Продажи
SI4922BDY-T1-E3 Поставщик
SI4922BDY-T1-E3 Распределитель
SI4922BDY-T1-E3 Таблица данных
SI4922BDY-T1-E3 Фото
SI4922BDY-T1-E3 Цена
SI4922BDY-T1-E3 Предложение
SI4922BDY-T1-E3 Низшая цена
SI4922BDY-T1-E3 Поиск
SI4922BDY-T1-E3 Покупка
SI4922BDY-T1-E3 Chip