Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI4967DY-T1-E3

SI4967DY-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
номер части
SI4967DY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
2W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
-
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
55nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 21862 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3 Электронные компоненты
SI4967DY-T1-E3 Продажи
SI4967DY-T1-E3 Поставщик
SI4967DY-T1-E3 Распределитель
SI4967DY-T1-E3 Таблица данных
SI4967DY-T1-E3 Фото
SI4967DY-T1-E3 Цена
SI4967DY-T1-E3 Предложение
SI4967DY-T1-E3 Низшая цена
SI4967DY-T1-E3 Поиск
SI4967DY-T1-E3 Покупка
SI4967DY-T1-E3 Chip