Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5513CDC-T1-E3

SI5513CDC-T1-E3

MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
номер части
SI5513CDC-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SMD, Flat Lead
Мощность - Макс.
3.1W
Пакет устройств поставщика
1206-8 ChipFET™
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4A, 3.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.3A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
285pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 31739 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5513CDC-T1-E3
SI5513CDC-T1-E3 Электронные компоненты
SI5513CDC-T1-E3 Продажи
SI5513CDC-T1-E3 Поставщик
SI5513CDC-T1-E3 Распределитель
SI5513CDC-T1-E3 Таблица данных
SI5513CDC-T1-E3 Фото
SI5513CDC-T1-E3 Цена
SI5513CDC-T1-E3 Предложение
SI5513CDC-T1-E3 Низшая цена
SI5513CDC-T1-E3 Поиск
SI5513CDC-T1-E3 Покупка
SI5513CDC-T1-E3 Chip