Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI5519DU-T1-GE3

SI5519DU-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
номер части
SI5519DU-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Мощность - Макс.
10.4W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® ChipFet Dual
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.8V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17.5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
660pF @ 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27406 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI5519DU-T1-GE3
SI5519DU-T1-GE3 Электронные компоненты
SI5519DU-T1-GE3 Продажи
SI5519DU-T1-GE3 Поставщик
SI5519DU-T1-GE3 Распределитель
SI5519DU-T1-GE3 Таблица данных
SI5519DU-T1-GE3 Фото
SI5519DU-T1-GE3 Цена
SI5519DU-T1-GE3 Предложение
SI5519DU-T1-GE3 Низшая цена
SI5519DU-T1-GE3 Поиск
SI5519DU-T1-GE3 Покупка
SI5519DU-T1-GE3 Chip