Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7434DP-T1-E3

SI7434DP-T1-E3

MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
номер части
SI7434DP-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.9W (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
250V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
2.3A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
50nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 43219 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7434DP-T1-E3
SI7434DP-T1-E3 Электронные компоненты
SI7434DP-T1-E3 Продажи
SI7434DP-T1-E3 Поставщик
SI7434DP-T1-E3 Распределитель
SI7434DP-T1-E3 Таблица данных
SI7434DP-T1-E3 Фото
SI7434DP-T1-E3 Цена
SI7434DP-T1-E3 Предложение
SI7434DP-T1-E3 Низшая цена
SI7434DP-T1-E3 Поиск
SI7434DP-T1-E3 Покупка
SI7434DP-T1-E3 Chip