Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7495DP-T1-E3

SI7495DP-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8
номер части
SI7495DP-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.8W (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
13A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 21A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
900mV @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
140nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 46053 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7495DP-T1-E3
SI7495DP-T1-E3 Электронные компоненты
SI7495DP-T1-E3 Продажи
SI7495DP-T1-E3 Поставщик
SI7495DP-T1-E3 Распределитель
SI7495DP-T1-E3 Таблица данных
SI7495DP-T1-E3 Фото
SI7495DP-T1-E3 Цена
SI7495DP-T1-E3 Предложение
SI7495DP-T1-E3 Низшая цена
SI7495DP-T1-E3 Поиск
SI7495DP-T1-E3 Покупка
SI7495DP-T1-E3 Chip