Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7615DN-T1-GE3

SI7615DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8
номер части
SI7615DN-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
183nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
6000pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 11959 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7615DN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3 Электронные компоненты
SI7615DN-T1-GE3 Продажи
SI7615DN-T1-GE3 Поставщик
SI7615DN-T1-GE3 Распределитель
SI7615DN-T1-GE3 Таблица данных
SI7615DN-T1-GE3 Фото
SI7615DN-T1-GE3 Цена
SI7615DN-T1-GE3 Предложение
SI7615DN-T1-GE3 Низшая цена
SI7615DN-T1-GE3 Поиск
SI7615DN-T1-GE3 Покупка
SI7615DN-T1-GE3 Chip