Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7774DP-T1-GE3

SI7774DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
номер части
SI7774DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
SkyFET®, TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 48W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
66nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2630pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 51663 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7774DP-T1-GE3
SI7774DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SI7774DP-T1-GE3 Продажи
SI7774DP-T1-GE3 Поставщик
SI7774DP-T1-GE3 Распределитель
SI7774DP-T1-GE3 Таблица данных
SI7774DP-T1-GE3 Фото
SI7774DP-T1-GE3 Цена
SI7774DP-T1-GE3 Предложение
SI7774DP-T1-GE3 Низшая цена
SI7774DP-T1-GE3 Поиск
SI7774DP-T1-GE3 Покупка
SI7774DP-T1-GE3 Chip