Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7925DN-T1-E3

SI7925DN-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 1212-8
номер части
SI7925DN-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® 1212-8 Dual
Мощность - Макс.
1.3W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® 1212-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.8A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 44037 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7925DN-T1-E3
SI7925DN-T1-E3 Электронные компоненты
SI7925DN-T1-E3 Продажи
SI7925DN-T1-E3 Поставщик
SI7925DN-T1-E3 Распределитель
SI7925DN-T1-E3 Таблица данных
SI7925DN-T1-E3 Фото
SI7925DN-T1-E3 Цена
SI7925DN-T1-E3 Предложение
SI7925DN-T1-E3 Низшая цена
SI7925DN-T1-E3 Поиск
SI7925DN-T1-E3 Покупка
SI7925DN-T1-E3 Chip