Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7940DP-T1-GE3

SI7940DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
номер части
SI7940DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
1.4W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7.6A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 11.8A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
17nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41127 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7940DP-T1-GE3
SI7940DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SI7940DP-T1-GE3 Продажи
SI7940DP-T1-GE3 Поставщик
SI7940DP-T1-GE3 Распределитель
SI7940DP-T1-GE3 Таблица данных
SI7940DP-T1-GE3 Фото
SI7940DP-T1-GE3 Цена
SI7940DP-T1-GE3 Предложение
SI7940DP-T1-GE3 Низшая цена
SI7940DP-T1-GE3 Поиск
SI7940DP-T1-GE3 Покупка
SI7940DP-T1-GE3 Chip