Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
номер части
SI7964DP-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
1.4W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.1A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
65nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 38953 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7964DP-T1-E3
SI7964DP-T1-E3 Электронные компоненты
SI7964DP-T1-E3 Продажи
SI7964DP-T1-E3 Поставщик
SI7964DP-T1-E3 Распределитель
SI7964DP-T1-E3 Таблица данных
SI7964DP-T1-E3 Фото
SI7964DP-T1-E3 Цена
SI7964DP-T1-E3 Предложение
SI7964DP-T1-E3 Низшая цена
SI7964DP-T1-E3 Поиск
SI7964DP-T1-E3 Покупка
SI7964DP-T1-E3 Chip