Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
номер части
SI7983DP-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
1.4W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
2 P-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 600µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
74nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 13040 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI7983DP-T1-E3
SI7983DP-T1-E3 Электронные компоненты
SI7983DP-T1-E3 Продажи
SI7983DP-T1-E3 Поставщик
SI7983DP-T1-E3 Распределитель
SI7983DP-T1-E3 Таблица данных
SI7983DP-T1-E3 Фото
SI7983DP-T1-E3 Цена
SI7983DP-T1-E3 Предложение
SI7983DP-T1-E3 Низшая цена
SI7983DP-T1-E3 Поиск
SI7983DP-T1-E3 Покупка
SI7983DP-T1-E3 Chip