Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI8409DB-T1-E1

SI8409DB-T1-E1

MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
номер части
SI8409DB-T1-E1
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
4-XFBGA, CSPBGA
Пакет устройств поставщика
4-Microfoot
Рассеиваемая мощность (макс.)
1.47W (Ta)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.6A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
46 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 9122 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI8409DB-T1-E1
SI8409DB-T1-E1 Электронные компоненты
SI8409DB-T1-E1 Продажи
SI8409DB-T1-E1 Поставщик
SI8409DB-T1-E1 Распределитель
SI8409DB-T1-E1 Таблица данных
SI8409DB-T1-E1 Фото
SI8409DB-T1-E1 Цена
SI8409DB-T1-E1 Предложение
SI8409DB-T1-E1 Низшая цена
SI8409DB-T1-E1 Поиск
SI8409DB-T1-E1 Покупка
SI8409DB-T1-E1 Chip