Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI8465DB-T2-E1

SI8465DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
номер части
SI8465DB-T2-E1
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
4-XFBGA, CSPBGA
Пакет устройств поставщика
4-Microfoot
Рассеиваемая мощность (макс.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
-
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
104 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
18nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
450pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14315 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI8465DB-T2-E1
SI8465DB-T2-E1 Электронные компоненты
SI8465DB-T2-E1 Продажи
SI8465DB-T2-E1 Поставщик
SI8465DB-T2-E1 Распределитель
SI8465DB-T2-E1 Таблица данных
SI8465DB-T2-E1 Фото
SI8465DB-T2-E1 Цена
SI8465DB-T2-E1 Предложение
SI8465DB-T2-E1 Низшая цена
SI8465DB-T2-E1 Поиск
SI8465DB-T2-E1 Покупка
SI8465DB-T2-E1 Chip