Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI8816EDB-T2-E1

SI8816EDB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
номер части
SI8816EDB-T2-E1
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
4-XFBGA
Пакет устройств поставщика
4-Microfoot
Рассеиваемая мощность (макс.)
500mW (Ta)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
-
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
109 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
195pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 10V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 19812 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI8816EDB-T2-E1
SI8816EDB-T2-E1 Электронные компоненты
SI8816EDB-T2-E1 Продажи
SI8816EDB-T2-E1 Поставщик
SI8816EDB-T2-E1 Распределитель
SI8816EDB-T2-E1 Таблица данных
SI8816EDB-T2-E1 Фото
SI8816EDB-T2-E1 Цена
SI8816EDB-T2-E1 Предложение
SI8816EDB-T2-E1 Низшая цена
SI8816EDB-T2-E1 Поиск
SI8816EDB-T2-E1 Покупка
SI8816EDB-T2-E1 Chip