Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SI9926BDY-T1-E3

SI9926BDY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
номер части
SI9926BDY-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Мощность - Макс.
1.14W
Пакет устройств поставщика
8-SO
Тип полевого транзистора
2 N-Channel (Dual)
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.2A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 30289 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SI9926BDY-T1-E3
SI9926BDY-T1-E3 Электронные компоненты
SI9926BDY-T1-E3 Продажи
SI9926BDY-T1-E3 Поставщик
SI9926BDY-T1-E3 Распределитель
SI9926BDY-T1-E3 Таблица данных
SI9926BDY-T1-E3 Фото
SI9926BDY-T1-E3 Цена
SI9926BDY-T1-E3 Предложение
SI9926BDY-T1-E3 Низшая цена
SI9926BDY-T1-E3 Поиск
SI9926BDY-T1-E3 Покупка
SI9926BDY-T1-E3 Chip