Купить Vishay Siliconix SIA413DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SIA413DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6

номер части

SIA413DJ-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET®

Статус детали

Active

Упаковка

Digi-Reel®

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® SC-70-6

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® SC-70-6 Single

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Тип полевого транзистора

P-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

12V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

12A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

29 mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

57nC @ 8V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1800pF @ 10V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

1.5V, 4.5V

ВГС (Макс)

±8V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 44656 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70