Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIA427DJ-T1-GE3

SIA427DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
номер части
SIA427DJ-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-70-6
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
8V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
800mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
50nC @ 5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2300pF @ 4V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.2V, 4.5V
ВГС (Макс)
±5V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 6057 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIA427DJ-T1-GE3
SIA427DJ-T1-GE3 Электронные компоненты
SIA427DJ-T1-GE3 Продажи
SIA427DJ-T1-GE3 Поставщик
SIA427DJ-T1-GE3 Распределитель
SIA427DJ-T1-GE3 Таблица данных
SIA427DJ-T1-GE3 Фото
SIA427DJ-T1-GE3 Цена
SIA427DJ-T1-GE3 Предложение
SIA427DJ-T1-GE3 Низшая цена
SIA427DJ-T1-GE3 Поиск
SIA427DJ-T1-GE3 Покупка
SIA427DJ-T1-GE3 Chip