Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIA449DJ-T1-GE3

SIA449DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12A SC70-6
номер части
SIA449DJ-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-70-6
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
30V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
72nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2140pF @ 15V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 10V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24463 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIA449DJ-T1-GE3
SIA449DJ-T1-GE3 Электронные компоненты
SIA449DJ-T1-GE3 Продажи
SIA449DJ-T1-GE3 Поставщик
SIA449DJ-T1-GE3 Распределитель
SIA449DJ-T1-GE3 Таблица данных
SIA449DJ-T1-GE3 Фото
SIA449DJ-T1-GE3 Цена
SIA449DJ-T1-GE3 Предложение
SIA449DJ-T1-GE3 Низшая цена
SIA449DJ-T1-GE3 Поиск
SIA449DJ-T1-GE3 Покупка
SIA449DJ-T1-GE3 Chip