Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIA461DJ-T1-GE3

SIA461DJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
номер части
SIA461DJ-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-70-6
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Single
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
12A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
45nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1300pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.8V, 4.5V
ВГС (Макс)
±8V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 16548 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIA461DJ-T1-GE3
SIA461DJ-T1-GE3 Электронные компоненты
SIA461DJ-T1-GE3 Продажи
SIA461DJ-T1-GE3 Поставщик
SIA461DJ-T1-GE3 Распределитель
SIA461DJ-T1-GE3 Таблица данных
SIA461DJ-T1-GE3 Фото
SIA461DJ-T1-GE3 Цена
SIA461DJ-T1-GE3 Предложение
SIA461DJ-T1-GE3 Низшая цена
SIA461DJ-T1-GE3 Поиск
SIA461DJ-T1-GE3 Покупка
SIA461DJ-T1-GE3 Chip