Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIA533EDJ-T1-GE3

SIA533EDJ-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
номер части
SIA533EDJ-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Мощность - Макс.
7.8W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
4.5A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
15nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
420pF @ 6V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 27053 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIA533EDJ-T1-GE3
SIA533EDJ-T1-GE3 Электронные компоненты
SIA533EDJ-T1-GE3 Продажи
SIA533EDJ-T1-GE3 Поставщик
SIA533EDJ-T1-GE3 Распределитель
SIA533EDJ-T1-GE3 Таблица данных
SIA533EDJ-T1-GE3 Фото
SIA533EDJ-T1-GE3 Цена
SIA533EDJ-T1-GE3 Предложение
SIA533EDJ-T1-GE3 Низшая цена
SIA533EDJ-T1-GE3 Поиск
SIA533EDJ-T1-GE3 Покупка
SIA533EDJ-T1-GE3 Chip