Купить Vishay Siliconix SIA850DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SIA850DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 190V 0.95A SC70-6

номер части

SIA850DJ-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

LITTLE FOOT®

Статус детали

Obsolete

Упаковка

Digi-Reel®

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® SC-70-6 Dual

Рассеиваемая мощность (макс.)

1.9W (Ta), 7W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Schottky Diode (Isolated)

Напряжение стока к источнику (Vdss)

190V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

950mA (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

3.8 Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs(th) (Макс) @ Id

1.4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

90pF @ 100V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

1.8V, 4.5V

ВГС (Макс)

±16V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.

В наличии 35412 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SIA810DJ-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6