Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6
номер части
SIB455EDK-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-75-6L
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-75-6L Single
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Тип полевого транзистора
P-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
12V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
9A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
30nC @ 8V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
-
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
1.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 16007 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIB455EDK-T1-GE3
SIB455EDK-T1-GE3 Электронные компоненты
SIB455EDK-T1-GE3 Продажи
SIB455EDK-T1-GE3 Поставщик
SIB455EDK-T1-GE3 Распределитель
SIB455EDK-T1-GE3 Таблица данных
SIB455EDK-T1-GE3 Фото
SIB455EDK-T1-GE3 Цена
SIB455EDK-T1-GE3 Предложение
SIB455EDK-T1-GE3 Низшая цена
SIB455EDK-T1-GE3 Поиск
SIB455EDK-T1-GE3 Покупка
SIB455EDK-T1-GE3 Chip