Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
номер части
SIB456DK-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SC-75-6L
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SC-75-6L Single
Рассеиваемая мощность (макс.)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
6.3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
5nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
130pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 23238 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIB456DK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3 Электронные компоненты
SIB456DK-T1-GE3 Продажи
SIB456DK-T1-GE3 Поставщик
SIB456DK-T1-GE3 Распределитель
SIB456DK-T1-GE3 Таблица данных
SIB456DK-T1-GE3 Фото
SIB456DK-T1-GE3 Цена
SIB456DK-T1-GE3 Предложение
SIB456DK-T1-GE3 Низшая цена
SIB456DK-T1-GE3 Поиск
SIB456DK-T1-GE3 Покупка
SIB456DK-T1-GE3 Chip