Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIE816DF-T1-E3

SIE816DF-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 60A POLARPAK
номер части
SIE816DF-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
10-PolarPAK® (L)
Пакет устройств поставщика
10-PolarPAK® (L)
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
77nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3100pF @ 30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 24935 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIE816DF-T1-E3
SIE816DF-T1-E3 Электронные компоненты
SIE816DF-T1-E3 Продажи
SIE816DF-T1-E3 Поставщик
SIE816DF-T1-E3 Распределитель
SIE816DF-T1-E3 Таблица данных
SIE816DF-T1-E3 Фото
SIE816DF-T1-E3 Цена
SIE816DF-T1-E3 Предложение
SIE816DF-T1-E3 Низшая цена
SIE816DF-T1-E3 Поиск
SIE816DF-T1-E3 Покупка
SIE816DF-T1-E3 Chip