Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIE820DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
номер части
SIE820DF-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
10-PolarPAK® (S)
Пакет устройств поставщика
10-PolarPAK® (S)
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
20V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
143nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
4300pF @ 10V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
2.5V, 4.5V
ВГС (Макс)
±12V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 39267 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIE820DF-T1-GE3
SIE820DF-T1-GE3 Электронные компоненты
SIE820DF-T1-GE3 Продажи
SIE820DF-T1-GE3 Поставщик
SIE820DF-T1-GE3 Распределитель
SIE820DF-T1-GE3 Таблица данных
SIE820DF-T1-GE3 Фото
SIE820DF-T1-GE3 Цена
SIE820DF-T1-GE3 Предложение
SIE820DF-T1-GE3 Низшая цена
SIE820DF-T1-GE3 Поиск
SIE820DF-T1-GE3 Покупка
SIE820DF-T1-GE3 Chip