Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIE836DF-T1-E3

SIE836DF-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
номер части
SIE836DF-T1-E3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
10-PolarPAK® (SH)
Пакет устройств поставщика
10-PolarPAK® (SH)
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.2W (Ta), 104W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
200V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
18.3A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
130 mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
41nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1200pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 39607 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIE836DF-T1-E3
SIE836DF-T1-E3 Электронные компоненты
SIE836DF-T1-E3 Продажи
SIE836DF-T1-E3 Поставщик
SIE836DF-T1-E3 Распределитель
SIE836DF-T1-E3 Таблица данных
SIE836DF-T1-E3 Фото
SIE836DF-T1-E3 Цена
SIE836DF-T1-E3 Предложение
SIE836DF-T1-E3 Низшая цена
SIE836DF-T1-E3 Поиск
SIE836DF-T1-E3 Покупка
SIE836DF-T1-E3 Chip