Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHP30N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
номер части
SIHP30N60E-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
E
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
29A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
130nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2600pF @ 100V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±30V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 44106 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3 Электронные компоненты
SIHP30N60E-GE3 Продажи
SIHP30N60E-GE3 Поставщик
SIHP30N60E-GE3 Распределитель
SIHP30N60E-GE3 Таблица данных
SIHP30N60E-GE3 Фото
SIHP30N60E-GE3 Цена
SIHP30N60E-GE3 Предложение
SIHP30N60E-GE3 Низшая цена
SIHP30N60E-GE3 Поиск
SIHP30N60E-GE3 Покупка
SIHP30N60E-GE3 Chip