Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIHP35N60EF-GE3

SIHP35N60EF-GE3

MOSFET N-CH TO-220AB
номер части
SIHP35N60EF-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
EF
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-3
Пакет устройств поставщика
TO-220AB
Рассеиваемая мощность (макс.)
250W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
600V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
32A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
134nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2568pF @ 100V
ВГС (Макс)
±30V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 26192 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIHP35N60EF-GE3
SIHP35N60EF-GE3 Электронные компоненты
SIHP35N60EF-GE3 Продажи
SIHP35N60EF-GE3 Поставщик
SIHP35N60EF-GE3 Распределитель
SIHP35N60EF-GE3 Таблица данных
SIHP35N60EF-GE3 Фото
SIHP35N60EF-GE3 Цена
SIHP35N60EF-GE3 Предложение
SIHP35N60EF-GE3 Низшая цена
SIHP35N60EF-GE3 Поиск
SIHP35N60EF-GE3 Покупка
SIHP35N60EF-GE3 Chip