Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIJA58DP-T1-GE3

SIJA58DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
номер части
SIJA58DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
27.7W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
2.65 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
75nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
3750pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
+20V, -16V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 42358 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIJA58DP-T1-GE3
SIJA58DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIJA58DP-T1-GE3 Продажи
SIJA58DP-T1-GE3 Поставщик
SIJA58DP-T1-GE3 Распределитель
SIJA58DP-T1-GE3 Таблица данных
SIJA58DP-T1-GE3 Фото
SIJA58DP-T1-GE3 Цена
SIJA58DP-T1-GE3 Предложение
SIJA58DP-T1-GE3 Низшая цена
SIJA58DP-T1-GE3 Поиск
SIJA58DP-T1-GE3 Покупка
SIJA58DP-T1-GE3 Chip