Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR646DP-T1-GE3

SIR646DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SO
номер части
SIR646DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
5W (Ta), 54W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2230pF @ 20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 14678 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR646DP-T1-GE3
SIR646DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR646DP-T1-GE3 Продажи
SIR646DP-T1-GE3 Поставщик
SIR646DP-T1-GE3 Распределитель
SIR646DP-T1-GE3 Таблица данных
SIR646DP-T1-GE3 Фото
SIR646DP-T1-GE3 Цена
SIR646DP-T1-GE3 Предложение
SIR646DP-T1-GE3 Низшая цена
SIR646DP-T1-GE3 Поиск
SIR646DP-T1-GE3 Покупка
SIR646DP-T1-GE3 Chip