Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR698DP-T1-GE3

SIR698DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
номер части
SIR698DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.7W (Ta), 23W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
7.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
195 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
8nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
210pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
6V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 5709 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR698DP-T1-GE3
SIR698DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR698DP-T1-GE3 Продажи
SIR698DP-T1-GE3 Поставщик
SIR698DP-T1-GE3 Распределитель
SIR698DP-T1-GE3 Таблица данных
SIR698DP-T1-GE3 Фото
SIR698DP-T1-GE3 Цена
SIR698DP-T1-GE3 Предложение
SIR698DP-T1-GE3 Низшая цена
SIR698DP-T1-GE3 Поиск
SIR698DP-T1-GE3 Покупка
SIR698DP-T1-GE3 Chip