Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
номер части
SIR838DP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
150V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
50nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2075pF @ 75V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41019 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR838DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR838DP-T1-GE3 Продажи
SIR838DP-T1-GE3 Поставщик
SIR838DP-T1-GE3 Распределитель
SIR838DP-T1-GE3 Таблица данных
SIR838DP-T1-GE3 Фото
SIR838DP-T1-GE3 Цена
SIR838DP-T1-GE3 Предложение
SIR838DP-T1-GE3 Низшая цена
SIR838DP-T1-GE3 Поиск
SIR838DP-T1-GE3 Покупка
SIR838DP-T1-GE3 Chip