Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIR880ADP-T1-GE3

SIR880ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
номер части
SIR880ADP-T1-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Digi-Reel®
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
80V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
60A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
6.3 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
72nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2289pF @ 40V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 34185 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIR880ADP-T1-GE3
SIR880ADP-T1-GE3 Электронные компоненты
SIR880ADP-T1-GE3 Продажи
SIR880ADP-T1-GE3 Поставщик
SIR880ADP-T1-GE3 Распределитель
SIR880ADP-T1-GE3 Таблица данных
SIR880ADP-T1-GE3 Фото
SIR880ADP-T1-GE3 Цена
SIR880ADP-T1-GE3 Предложение
SIR880ADP-T1-GE3 Низшая цена
SIR880ADP-T1-GE3 Поиск
SIR880ADP-T1-GE3 Покупка
SIR880ADP-T1-GE3 Chip