Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SIRA50ADP-T1-RE3

SIRA50ADP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 40V PPAK SO-8
номер части
SIRA50ADP-T1-RE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET® Gen IV
Статус детали
Active
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.)
6.25W (Ta), 100W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
1.04 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
150nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
7300pF @ 20V
ВГС (Макс)
+20V, -16V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
4.5V, 10V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 41350 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SIRA50ADP-T1-RE3
SIRA50ADP-T1-RE3 Электронные компоненты
SIRA50ADP-T1-RE3 Продажи
SIRA50ADP-T1-RE3 Поставщик
SIRA50ADP-T1-RE3 Распределитель
SIRA50ADP-T1-RE3 Таблица данных
SIRA50ADP-T1-RE3 Фото
SIRA50ADP-T1-RE3 Цена
SIRA50ADP-T1-RE3 Предложение
SIRA50ADP-T1-RE3 Низшая цена
SIRA50ADP-T1-RE3 Поиск
SIRA50ADP-T1-RE3 Покупка
SIRA50ADP-T1-RE3 Chip