Купить Vishay Siliconix SIS410DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

Китай
Профессиональный поставщик электронных компонентов

Каталоги Производители CN ICs

Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.

Таблицы данных

SIS410DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8

номер части

SIS410DN-T1-GE3

Производитель/Бренд

Vishay Siliconix

Ряд

TrenchFET®

Статус детали

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Технологии

MOSFET (Metal Oxide)

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажа

Surface Mount

Пакет/кейс

PowerPAK® 1212-8

Пакет устройств поставщика

PowerPAK® 1212-8

Рассеиваемая мощность (макс.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Особенность полевого транзистора

Напряжение стока к источнику (Vdss)

20V

Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

4.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

41nC @ 10V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1600pF @ 10V

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

4.5V, 10V

ВГС (Макс)

±20V

Запросить цену

Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.

В наличии 30405 PCS

Контактная информация

сопутствующие товары

SIS402DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8