Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ560EP-T1_GE3

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
номер части
SQJ560EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
34W (Tc)
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
60V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
1650pF @ 25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 35001 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ560EP-T1_GE3 Продажи
SQJ560EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ560EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ560EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ560EP-T1_GE3 Фото
SQJ560EP-T1_GE3 Цена
SQJ560EP-T1_GE3 Предложение
SQJ560EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ560EP-T1_GE3 Поиск
SQJ560EP-T1_GE3 Покупка
SQJ560EP-T1_GE3 Chip