Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SQJ570EP-T1_GE3

SQJ570EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
номер части
SQJ570EP-T1_GE3
Производитель/Бренд
Ряд
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Статус детали
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
PowerPAK® SO-8 Dual
Мощность - Макс.
27W
Пакет устройств поставщика
PowerPAK® SO-8 Dual
Тип полевого транзистора
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора
Standard
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 48779 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SQJ570EP-T1_GE3
SQJ570EP-T1_GE3 Электронные компоненты
SQJ570EP-T1_GE3 Продажи
SQJ570EP-T1_GE3 Поставщик
SQJ570EP-T1_GE3 Распределитель
SQJ570EP-T1_GE3 Таблица данных
SQJ570EP-T1_GE3 Фото
SQJ570EP-T1_GE3 Цена
SQJ570EP-T1_GE3 Предложение
SQJ570EP-T1_GE3 Низшая цена
SQJ570EP-T1_GE3 Поиск
SQJ570EP-T1_GE3 Покупка
SQJ570EP-T1_GE3 Chip