Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
SUD50N10-18P-GE3

SUD50N10-18P-GE3

MOSFET N-CH 100V 8.2A DPAK
номер части
SUD50N10-18P-GE3
Производитель/Бренд
Ряд
TrenchFET®
Статус детали
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Пакет/кейс
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет устройств поставщика
TO-252, (D-Pak)
Рассеиваемая мощность (макс.)
3W (Ta), 136.4W (Tc)
Тип полевого транзистора
N-Channel
Особенность полевого транзистора
-
Напряжение стока к источнику (Vdss)
100V
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C
8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs
75nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds
2600pF @ 50V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)
10V
ВГС (Макс)
±20V
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо chen_hx1688@hotmail.com, мы ответим как можно скорее.
В наличии 28295 PCS
Контактная информация
Ключевые слова SUD50N10-18P-GE3
SUD50N10-18P-GE3 Электронные компоненты
SUD50N10-18P-GE3 Продажи
SUD50N10-18P-GE3 Поставщик
SUD50N10-18P-GE3 Распределитель
SUD50N10-18P-GE3 Таблица данных
SUD50N10-18P-GE3 Фото
SUD50N10-18P-GE3 Цена
SUD50N10-18P-GE3 Предложение
SUD50N10-18P-GE3 Низшая цена
SUD50N10-18P-GE3 Поиск
SUD50N10-18P-GE3 Покупка
SUD50N10-18P-GE3 Chip