Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 68V 960MHZ TO270-2
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 100V 1.09GHZ PLD-1.5
Описание
STMicroelectronics
Производители
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
Описание
STMicroelectronics
Производители
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12751
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12751
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17.4DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
Описание