Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 40V 520MHZ TO270-4
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.3DB SOT1239B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO270-2
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.8DB SOT1120B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO270-2
Описание
M/A-Com Technology Solutions
Производители
FET RF 65V 150MHZ 211-11
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 110V 220MHZ TO270-2
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 40V 520MHZ TO272-6
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12753
Описание
NXP USA Inc.
Производители
IC MOSFET RF N-CHAN TO272-6
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 14DB SOT12521
Описание