Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT539B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1121A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
NXP USA Inc.
Производители
MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 25MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 25MA SOT23
Описание
NXP USA Inc.
Производители
JFET N-CH 30V 25MA SOT23
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502A
Описание
STMicroelectronics
Производители
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT539A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 11DB SOT467C
Описание