Дискретные полупроводниковые изделия - Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - РФ
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
Описание
NXP USA Inc.
Производители
FET RF 2CH 65V 1.91GHZ NI780-4
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 75V 12DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET 2 NC 65V 11.5DB SOT262A1
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502A
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
Описание
Ampleon USA Inc.
Производители
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B
Описание