AGM-Semi (core control source)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
номер части
AGM210MAP
Категория
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Производитель/Бренд
AGM-Semi (core control source)
Инкапсуляция
DFN3.3x3.3
Упаковка
taping
Количество упаковок
5000
Описание
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 54280 PCS
Контактная информация
Ключевые слова AGM210MAP
AGM210MAP Электронные компоненты
AGM210MAP Продажи
AGM210MAP Поставщик
AGM210MAP Распределитель
AGM210MAP Таблица данных
AGM210MAP Фото
AGM210MAP Цена
AGM210MAP Предложение
AGM210MAP Низшая цена
AGM210MAP Поиск
AGM210MAP Покупка
AGM210MAP Chip