onsemi (Ansemi)
Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
NCD57000DWR2G Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.

NCD57000DWR2G

Half Bridge IGBT Sink 7.1A Source 7.8A Isolated High Current and High Efficiency IGBT Gate Driver with Internal Galvanic Isolation.
номер части
NCD57000DWR2G
Категория
Power Chip > Gate Driver IC
Производитель/Бренд
onsemi (Ansemi)
Инкапсуляция
SOIC-16-300mil
Упаковка
taping
Количество упаковок
1000
Описание
The NCD57000 is a high current single-channel IGBT driver with internal galvanic isolation for high system efficiency and reliability in high power applications. Features include complementary inputs, open-drain FAULT and Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLO, DESAT protection, soft shutdown on DESAT, and separate high and low driver outputs (OUTH and OUTL ). The NCD57000 can accommodate 5V and 3.3V signals on the input side, and a wide range of bias voltages on the driver side, including negative voltage capability. The NCD57000 provides > 5 kVrms (UL1577 rated) galvanic isolation and > 1200 Viorm (working voltage). The NCD57000 uses a wide body SOIC-16 encapsulation that guarantees 8 mm creepage distance between input and output, meeting reinforced safety insulation requirements.
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 69307 PCS
Контактная информация
Ключевые слова NCD57000DWR2G
NCD57000DWR2G Электронные компоненты
NCD57000DWR2G Продажи
NCD57000DWR2G Поставщик
NCD57000DWR2G Распределитель
NCD57000DWR2G Таблица данных
NCD57000DWR2G Фото
NCD57000DWR2G Цена
NCD57000DWR2G Предложение
NCD57000DWR2G Низшая цена
NCD57000DWR2G Поиск
NCD57000DWR2G Покупка
NCD57000DWR2G Chip