Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
CDBGBSC201200-G
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
номер части
CDBGBSC201200-G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-247-3
Пакет устройств поставщика
TO-247
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
1.8V @ 10A
Ток – обратная утечка @ Vr
100µA @ 1200V
Конфигурация диода
1 Pair Common Cathode
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
1200V
Ток — средний выпрямленный (Io) (на диод)
25.9A (DC)
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0ns
Рабочая температура - соединение
-55°C ~ 175°C
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 46679 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова CDBGBSC201200-G
CDBGBSC201200-G Электронные компоненты
CDBGBSC201200-G Продажи
CDBGBSC201200-G Поставщик
CDBGBSC201200-G Распределитель
CDBGBSC201200-G Таблица данных
CDBGBSC201200-G Фото
CDBGBSC201200-G Цена
CDBGBSC201200-G Предложение
CDBGBSC201200-G Низшая цена
CDBGBSC201200-G Поиск
CDBGBSC201200-G Покупка
CDBGBSC201200-G Chip