Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
CDBJFSC10650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
номер части
CDBJFSC10650-G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-2 Full Pack
Пакет устройств поставщика
TO-220F
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Ток – средний выпрямленный (Io)
10A (DC)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
1.7V @ 10A
Ток – обратная утечка @ Vr
100µA @ 650V
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
650V
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0ns
Рабочая температура - соединение
-55°C ~ 175°C
Емкость @ Вр, Ф
710pF @ 0V, 1MHz
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 40586 PCS
Контактная информация
сопутствующие товары
Ключевые слова CDBJFSC10650-G
CDBJFSC10650-G Электронные компоненты
CDBJFSC10650-G Продажи
CDBJFSC10650-G Поставщик
CDBJFSC10650-G Распределитель
CDBJFSC10650-G Таблица данных
CDBJFSC10650-G Фото
CDBJFSC10650-G Цена
CDBJFSC10650-G Предложение
CDBJFSC10650-G Низшая цена
CDBJFSC10650-G Поиск
CDBJFSC10650-G Покупка
CDBJFSC10650-G Chip