Изображение может быть репрезентативным.
Подробную информацию о продукте см. в характеристиках.
CDBJSC51200-G

CDBJSC51200-G

DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
номер части
CDBJSC51200-G
Производитель/Бренд
Ряд
-
Статус детали
Active
Упаковка
-
Тип монтажа
Through Hole
Пакет/кейс
TO-220-2
Пакет устройств поставщика
TO-220-2
Тип диода
Silicon Carbide Schottky
Ток – средний выпрямленный (Io)
5A (DC)
Напряжение – вперед (Vf) (Макс) @ If
1.7V @ 5A
Ток – обратная утечка @ Vr
100µA @ 1200V
Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.)
1200V
Скорость
No Recovery Time > 500mA (Io)
Время обратного восстановления (trr)
0ns
Рабочая температура - соединение
-55°C ~ 175°C
Емкость @ Вр, Ф
475pF @ 0V, 1MHz
Запросить цену
Пожалуйста, заполните все обязательные поля и нажмите «ОТПРАВИТЬ», мы свяжемся с вами в течение 12 часов по электронной почте. Если у вас возникнут какие-либо проблемы, оставьте сообщение или электронное письмо [email protected], мы ответим как можно скорее.
В наличии 47356 PCS
Контактная информация
Ключевые слова CDBJSC51200-G
CDBJSC51200-G Электронные компоненты
CDBJSC51200-G Продажи
CDBJSC51200-G Поставщик
CDBJSC51200-G Распределитель
CDBJSC51200-G Таблица данных
CDBJSC51200-G Фото
CDBJSC51200-G Цена
CDBJSC51200-G Предложение
CDBJSC51200-G Низшая цена
CDBJSC51200-G Поиск
CDBJSC51200-G Покупка
CDBJSC51200-G Chip